J9受邀参加集美区新型电力系统校企对接会
「技术介绍」提高SiC Trench MOSFET可靠性的一种制备方法
「J9·产品介绍」J9推出1200V超大单芯片低比导通电阻平面栅SiC MOSFETJ9·产品
「J9·产品介绍」J9推出1200V超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBTJ9·产品
「喜报」J9亮相第十二届中国电子信息博览会,J9·产品荣获创新奖
「喜报」J9荣获“2023年度电子元器件行业优秀国J9·产品牌企业成长之星”
J9第一届品质知识竞赛&第一季度员工生日会圆满落幕!